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氧化爐,擴散爐,LPCVD設備廠家LOGO

產(chǎn)品&服務
首頁 > 產(chǎn)品&服務 > 半導體工藝設備 > 外延厚膜晶體生長爐

高壓晶體爐

產(chǎn)品性能:

 ◆溫度:500~2500℃,高溫電阻/感應加熱器,優(yōu)化熱場設計

 ◆多溫區(qū)石墨坩堝,升降,提拉,等徑控制等

 ◆腔體壓力:1-10MPa,高壓容器設計、制造及檢測

 ◆工藝類型:提拉、PVT

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