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?水平LPCVD是高質(zhì)量大批量大尺寸石墨烯CVD法生長(zhǎng)專用設(shè)備,多種工藝氣體、生長(zhǎng)壓力、工藝溫度、工藝過程計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制。該設(shè)備亦可其他大襯底LPCVD法成膜沉積工藝。
1350/1500℃高溫氧化爐系統(tǒng)應(yīng)用于2”4”6”SiC或Si晶圓片的高溫氧化等的特殊工藝。?
用于2”4”6”SiC或GaN的高溫退火、活化等的特殊工藝。
?水平HVPE設(shè)備用于在藍(lán)寶石、碳化硅等襯底上外延生長(zhǎng)GaN薄膜、Ga2O3薄膜、厚膜及晶體生長(zhǎng),及AlN等外延生長(zhǎng)。
垂直HVPE設(shè)備用于在藍(lán)寶石、碳化硅等襯底上外延生長(zhǎng)GaN薄膜、Ga2O3薄膜、厚膜及晶體生長(zhǎng),及AlN等外延生長(zhǎng)。
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