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首頁 > 產(chǎn)品&服務(wù) > 半導(dǎo)體工藝設(shè)備 > 氧化擴(kuò)散LPCVD爐

氧化擴(kuò)散LPCVD爐(研發(fā)型）

設(shè)備詢價(jià)

產(chǎn)品詳情

+ 產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品性能：

◆特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，模塊化組合靈活方便

◆工藝：氧化、擴(kuò)散、退火、LPCVD、PECVD等

◆2～12寸晶圓工藝，5～25片/批

◆占地面積小，水平1～4管/臺(tái)

◆200～1300℃，1400℃/2200℃（高溫）

◆手動(dòng)及自動(dòng)進(jìn)舟，局部凈化

配套工藝：

◆擴(kuò)散：氣態(tài)/液態(tài)/固態(tài)源磷硼擴(kuò)散

◆氧化：干氧/濕氧（DCE, HCL）（H20/氫氧合成）

◆氮/氫退火及快速退火，燒結(jié)、合金等

◆LPCVD:多晶硅,氮化硅、氧化硅（PSG\BPSG，TEOS,LTO\HTO）、SIPOS

◆PECVD:氮化硅、氧化硅等

◆特殊工藝：鋁、鎵擴(kuò)散，LP POCl3擴(kuò)散等。

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