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垂直氧化LPCVD爐系統(tǒng)用于IC集成電路、MEMS、功率器件、納米器件、光電子器件等領(lǐng)域，6"、8"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。
水平氧化擴(kuò)散爐及LPCVD系統(tǒng)，應(yīng)用于IC集成電路、MEMS、功率器件、電力電子器件、光電子器件、納米器件、太陽能電池等領(lǐng)域。
垂直氧化LPCVD爐系統(tǒng)用于IC集成電路、MEMS、功率器件、納米器件、光電子器件等領(lǐng)域，6"、8"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。
垂直LPCVD系統(tǒng)用于IC集成電路、MEMS、功率器件、納米器件、光電子器件等領(lǐng)域，12"晶圓的薄膜沉積及參雜等工藝。
用于IC集成電路、MEMS、功率器件、納米技術(shù)、光電子器件等領(lǐng)域。
科研型小批量氧化擴(kuò)散LPCVD爐用于IC集成電路、MEMS、功率器件、電力電子器件、納米器件、光電子器件等領(lǐng)域，2"/4"/6"/8"/12"晶圓的擴(kuò)散、氧化、合金、退火、薄膜沉積（LPCVD/PECVD）及參雜等工藝。
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